nmos耗尽型和增强型图
@亢耿2330：什么是增强型MOS管?什么是增强型MOS管?什么是耗尽型MOS管
温孙18597334471…… 增强型:栅极与衬底间不加电压时,栅极下面没有沟道存在.也就是说,对于NMOS,阈值电压大于0;PMOS,小于0.耗尽型:栅极与衬底间不加电压时,栅极下面已有沟道存在.也就是说,对于NMOS,阈值电压小于0;PMOS,大于0.通过改变有源区的掺杂浓度,控制栅极绝缘层厚度和选择某种功函数的栅极材料,可以制造出增强型或耗尽型的MOSFET.
@亢耿2330：请问如何在电路图中判断mos管是增强型还是耗尽型,是N沟道还是P沟道, -
温孙18597334471…… 增强型栅极虚线,耗尽行栅极是实线,P沟道箭头由栅极指向外,N沟道箭头由外指向栅极.还有一种是结型场效应管,一般不用,就不增加楼主的负担了
@亢耿2330：cmos管图示问题 -
温孙18597334471…… 前图是P(空穴)沟道耗尽型MOS管,中间箭头为连着P型衬底的电极,向上的电极d为漏极,向下的电极s为源极,旁边的g为栅极.右图为N(自由电子)沟道耗尽型MOS管,两者引脚名称和功能相同.栅极连着金属铝板.g与s、d及衬底之间...
@亢耿2330：N沟MOS管的构造及功能? -
温孙18597334471…… MOS依照其“通道”的极性不同,可分为'N＂沟与'p“沟的MOSFET, 结构 如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图.它用一块P型硅半导体材料作衬底(图la),在其面上扩散了两个N型区(图lb),再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO...
@亢耿2330：什么叫mos场效应管 -
温孙18597334471…… 1.概念: 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点: 具有输入电阻高(100000000~1000000000Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、...
@亢耿2330：门电路工作原理? -
温孙18597334471…… CMOS看,由于制造工艺的改进,CMOS电路的性能有可能超越TTL而成为占主导地位的逻辑器件 .CMOS电路的工作速度可与TTL相比较,而它的功耗和抗干扰能力则远优于TTL.此外,几乎所有的超大规模存储器件 ,以及PLD器件都采用...
@亢耿2330：关于H桥驱动的问题,如下图所示
温孙18597334471…… 就这个图来讲,只能用增强型MOS管才行保证正常导通截止,耗尽型下面两个NMOS任何时候都不能提供GS负偏压,它始终是导通的无法关断.用增强型上下管导通截止都没问题. 4427输入输出逻辑一样的不用算,就是驱动缓冲,输入高输出也高输入低输出也低.
@亢耿2330：谁能告诉我:MOS场效应管的选用方法 -
温孙18597334471…… 国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4(以上均为单栅管),4DO1(双栅管),这几个都不错,不过建议使用日立的产品.
@亢耿2330：门电路详细解说与用途
温孙18597334471…… 第五节 CMOS逻辑门电路 http://www.fjtu.com.cn/fjnu/courseware/0321/course/_source/web/lesson/char2/j6.htm 看看把 CMOS逻辑门电路是在TTL电路问世之后 ,所开发出的第二种广泛应用的数字集成器件,从发展趋势来看,由于制造工艺的改...
@亢耿2330：N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么? -
温孙18597334471…… NMOS增强型,ugs(th)一般是正数,最常见的是在2-4V之间,正常导通时的UGS一定大于Ugs(th),因此也一定是一个正数.耗尽型的不称为ugs(th),而是ugs(off),也就是夹断电压,这个值通常是一个负数.也就是说,只要UGS>UGS(off)就可以导通,这个数值就不好说了,可以是负数,也可以是0,也可以是正数.
温孙18597334471…… 增强型:栅极与衬底间不加电压时,栅极下面没有沟道存在.也就是说,对于NMOS,阈值电压大于0;PMOS,小于0.耗尽型:栅极与衬底间不加电压时,栅极下面已有沟道存在.也就是说,对于NMOS,阈值电压小于0;PMOS,大于0.通过改变有源区的掺杂浓度,控制栅极绝缘层厚度和选择某种功函数的栅极材料,可以制造出增强型或耗尽型的MOSFET.
@亢耿2330：请问如何在电路图中判断mos管是增强型还是耗尽型,是N沟道还是P沟道, -
温孙18597334471…… 增强型栅极虚线,耗尽行栅极是实线,P沟道箭头由栅极指向外,N沟道箭头由外指向栅极.还有一种是结型场效应管,一般不用,就不增加楼主的负担了
@亢耿2330：cmos管图示问题 -
温孙18597334471…… 前图是P(空穴)沟道耗尽型MOS管,中间箭头为连着P型衬底的电极,向上的电极d为漏极,向下的电极s为源极,旁边的g为栅极.右图为N(自由电子)沟道耗尽型MOS管,两者引脚名称和功能相同.栅极连着金属铝板.g与s、d及衬底之间...
@亢耿2330：N沟MOS管的构造及功能? -
温孙18597334471…… MOS依照其“通道”的极性不同,可分为'N＂沟与'p“沟的MOSFET, 结构 如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图.它用一块P型硅半导体材料作衬底(图la),在其面上扩散了两个N型区(图lb),再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO...
@亢耿2330：什么叫mos场效应管 -
温孙18597334471…… 1.概念: 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点: 具有输入电阻高(100000000~1000000000Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、...
@亢耿2330：门电路工作原理? -
温孙18597334471…… CMOS看,由于制造工艺的改进,CMOS电路的性能有可能超越TTL而成为占主导地位的逻辑器件 .CMOS电路的工作速度可与TTL相比较,而它的功耗和抗干扰能力则远优于TTL.此外,几乎所有的超大规模存储器件 ,以及PLD器件都采用...
@亢耿2330：关于H桥驱动的问题,如下图所示
温孙18597334471…… 就这个图来讲,只能用增强型MOS管才行保证正常导通截止,耗尽型下面两个NMOS任何时候都不能提供GS负偏压,它始终是导通的无法关断.用增强型上下管导通截止都没问题. 4427输入输出逻辑一样的不用算,就是驱动缓冲,输入高输出也高输入低输出也低.
@亢耿2330：谁能告诉我:MOS场效应管的选用方法 -
温孙18597334471…… 国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4(以上均为单栅管),4DO1(双栅管),这几个都不错,不过建议使用日立的产品.
@亢耿2330：门电路详细解说与用途
温孙18597334471…… 第五节 CMOS逻辑门电路 http://www.fjtu.com.cn/fjnu/courseware/0321/course/_source/web/lesson/char2/j6.htm 看看把 CMOS逻辑门电路是在TTL电路问世之后 ,所开发出的第二种广泛应用的数字集成器件,从发展趋势来看,由于制造工艺的改...
@亢耿2330：N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么? -
温孙18597334471…… NMOS增强型,ugs(th)一般是正数,最常见的是在2-4V之间,正常导通时的UGS一定大于Ugs(th),因此也一定是一个正数.耗尽型的不称为ugs(th),而是ugs(off),也就是夹断电压,这个值通常是一个负数.也就是说,只要UGS>UGS(off)就可以导通,这个数值就不好说了,可以是负数,也可以是0,也可以是正数.
