nmos饱和区条件
@咸欣3597：nmos管导通饱和截止条件 -
桂承17669716101…… PMOS增强型管:uG-uS|uGS(th)| , uGS|th|是开启电压; NMOS增强型管:uG-uS>0,且 |uG-uS|>|uGS(th)| ,uGS|th|是开启电压; PMOS导通是在G和S之间加G负S正电压.NMOS相反.
@咸欣3597：如何调整mos管使其工作在饱和状态 -
桂承17669716101…… 1、MOS管的三个区:可变电阻区(对应三极管的饱和区),恒流区(对应三极管的放大区),夹断区(对应三极管的截止区),还有一个击穿区(对应三极管的击穿区,属于电力电子内容). 2、MOS管的导通是一个过程,你需要仔仔细细看一...
@咸欣3597：NMOS场效应管工作在可变电阻区的条件 -
桂承17669716101…… NMOS管的uGS>UTN且uDS值较小,工作在可变电阻区....
@咸欣3597：MOSFET - P和MOSFET - N区别在那里?谢谢了 -
桂承17669716101…… MOSFET-P和MOSFET-N的区别: 1、MOSFET-P是P沟道,MOSFET-N是N沟道; 2、为了能正常工作,NMOS管外加的Vds必须是正值,开启电压VT也必须是正值,实际电流方向为流入漏极. 而与NMOS不同,PMOS管外加的Vds必须是负...
@咸欣3597：mos管在饱和区时,其电子沟道已经被夹断了,为什么还有漏电流存在了? -
桂承17669716101…… 一、先讲反型电子来自哪里: 1. 漏源电压为0.栅电压为正,p型衬底空穴被排斥,少子电子被吸引到表面;随着栅压增加,少子电子越来越多聚集在衬底表面,形成一层很薄的电子沟道,俗称反型.此时反型电子来自于衬底. 2. 漏源电压不为...
@咸欣3597：晶体三极管工作在放大区·饱和区·截止区的条件 -
桂承17669716101…… 放大区:发射结正偏,集电结反偏.Uc>Ub>Ue(NPN). 截止区:发射结反偏,集电结反偏.Uc>Ue>Ub(NPN). 饱和区:发射结正偏,集电结正偏.Ube>Uce(NPN).
@咸欣3597：怎样判断MOS管是否工作在“开关状态” -
桂承17669716101…… mos管的放大区就是饱和区,mos的三种状态没有击穿区,是截至区 ,击穿区可以定义为第四种状态.
@咸欣3597：pmos晶体管的工作原理 -
桂承17669716101…… PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor别名 : positive MOS金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在...
@咸欣3597：【求教】MOS管开关电路. -
桂承17669716101…… MOS和三极管相像,但是三极管属于电流驱动型,而MOS属于电压驱动型,因此在控制的时候需要考虑MOS的G端电压.一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通,但是为了考虑可靠性,往往是加上一个电阻,接到12V左右,这是我们常用的.如图我们产品中的一个图,是电机驱动,用的就是MOS的开关特性.另外,数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关,因为数字电路只有0和1.图中的PWM是单片机IO端口直接过来的,0V和5V可变.后面一个推挽电路,然后给MOS.
桂承17669716101…… PMOS增强型管:uG-uS|uGS(th)| , uGS|th|是开启电压; NMOS增强型管:uG-uS>0,且 |uG-uS|>|uGS(th)| ,uGS|th|是开启电压; PMOS导通是在G和S之间加G负S正电压.NMOS相反.
@咸欣3597：如何调整mos管使其工作在饱和状态 -
桂承17669716101…… 1、MOS管的三个区:可变电阻区(对应三极管的饱和区),恒流区(对应三极管的放大区),夹断区(对应三极管的截止区),还有一个击穿区(对应三极管的击穿区,属于电力电子内容). 2、MOS管的导通是一个过程,你需要仔仔细细看一...
@咸欣3597：NMOS场效应管工作在可变电阻区的条件 -
桂承17669716101…… NMOS管的uGS>UTN且uDS值较小,工作在可变电阻区....
@咸欣3597：MOSFET - P和MOSFET - N区别在那里?谢谢了 -
桂承17669716101…… MOSFET-P和MOSFET-N的区别: 1、MOSFET-P是P沟道,MOSFET-N是N沟道; 2、为了能正常工作,NMOS管外加的Vds必须是正值,开启电压VT也必须是正值,实际电流方向为流入漏极. 而与NMOS不同,PMOS管外加的Vds必须是负...
@咸欣3597：mos管在饱和区时,其电子沟道已经被夹断了,为什么还有漏电流存在了? -
桂承17669716101…… 一、先讲反型电子来自哪里: 1. 漏源电压为0.栅电压为正,p型衬底空穴被排斥,少子电子被吸引到表面;随着栅压增加,少子电子越来越多聚集在衬底表面,形成一层很薄的电子沟道,俗称反型.此时反型电子来自于衬底. 2. 漏源电压不为...
@咸欣3597：晶体三极管工作在放大区·饱和区·截止区的条件 -
桂承17669716101…… 放大区:发射结正偏,集电结反偏.Uc>Ub>Ue(NPN). 截止区:发射结反偏,集电结反偏.Uc>Ue>Ub(NPN). 饱和区:发射结正偏,集电结正偏.Ube>Uce(NPN).
@咸欣3597：怎样判断MOS管是否工作在“开关状态” -
桂承17669716101…… mos管的放大区就是饱和区,mos的三种状态没有击穿区,是截至区 ,击穿区可以定义为第四种状态.
@咸欣3597：pmos晶体管的工作原理 -
桂承17669716101…… PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor别名 : positive MOS金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在...
@咸欣3597：【求教】MOS管开关电路. -
桂承17669716101…… MOS和三极管相像,但是三极管属于电流驱动型,而MOS属于电压驱动型,因此在控制的时候需要考虑MOS的G端电压.一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通,但是为了考虑可靠性,往往是加上一个电阻,接到12V左右,这是我们常用的.如图我们产品中的一个图,是电机驱动,用的就是MOS的开关特性.另外,数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关,因为数字电路只有0和1.图中的PWM是单片机IO端口直接过来的,0V和5V可变.后面一个推挽电路,然后给MOS.
