rbe中的rbb怎么求
@查辰1466：rbe的计算公式
计胡14762385022…… rbe的计算公式:rbe=rbb'+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}],计算的是三极管的输入电阻.三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件.作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关.三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOS FET和VMOS都是绝缘型的场效应管.
@查辰1466：共射级放大电路中的rbe是什么意思,急求答案 -
计胡14762385022…… rbe 由基区电阻rbb',发射结电阻rb'e',发射区电阻re组成,rbb'一般几十到几百欧姆,可以查手册,re一般几欧姆可以忽略不计.所以rbe=ube/ib=(ubb'+ub'e')/ib=rbb'+ie/ib*rb'e', 其中rb'e'=ut/ie. 所以 rbe=rbb'+(1+β)ut/ie 常温下ut一般为26mv.
@查辰1466：模拟电子线路 求问这道题中估算rbe时,题目中没说明rbb'=200欧姆,是怎么来的 -
计胡14762385022…… 看你所用的书的第129页,表达式(4.3.7a),Rbb' 和Re 是三极管器件生产出来后自带的属性.一般题目中不给,书上都默认为是200Ω,用这个值不会错.有的题目会给出,比如:131页,例4.3.2
@查辰1466：晶体管的基极 - 发射极电阻rbe是由rbb算出来的,但是rbb在晶体管的datasheet中没有给出,怎样得到这个值? -
计胡14762385022…… 这个值用处不抄大,一般看作200就行.或者看Vbe-Ib曲线,取静态工作点袭处的切线斜率. 我做三级管放2113大电路的5261时4102候,尽量避免rbb、hfe之类的参数对电路的影响,因为就算是同一型号的三级管,个体之间也有差异1653.
@查辰1466：电子技术基础中r(be)什么算 -
计胡14762385022…… rbe=rbb`+(1+β)26mV/Ie=rbb`+26mV/Ib式中rbb`=100-300的常数,高频管取100Ω、低频管取300Ω,有给定值的去给定值.Ie、Ib为静态计算是的发射极电流或基极电流,以mA为单位,计算结果是欧姆.
@查辰1466：模拟电路求解静态工作点 -
计胡14762385022…… Ubeq与rbb'都是常数,如果出题者没有申明,则一般取rbb'=200Ω,照硅管取Ubeq=0.7V 模拟电子技术中的常熟还有很多很多. 以下是摘自《模拟电子技术》作者元增民老师给他的学生辅导时指出的常数解决本题就需要热电压常数UT=26...
@查辰1466：模拟电路放大Rbe问题 -
计胡14762385022…… 这个200还是300,指的是rbb,也就是发射结的体电阻. 按道理说,这个值在做题目时要题目给出的. 如果不给,你可以在题目解答时明确写出来: 假设rbb=200欧(一定要写),后面按正常解答,老师要足够专业的话,绝对不会算你错的.
@查辰1466：2.电路如图所示,电路中的晶体管β=60 -
计胡14762385022…… (1)静态工作点可以求一个,就是集电极电流ICQ;也可以求三个,再加上基极电流IBQ和集--射间电压UCEQ. 本图所示电路静态工作点的求解公式: 1、 IBQ=(Vcc-UBE)/Rb 一般认为UBE是已知(硅管为0.6V,锗管为0.3V,在题中若没有说明...
@查辰1466：三极管电路中,rbe(be为脚码)是什么意思?怎么定义的?
计胡14762385022…… Rbe是基极到发射极的电阻,=Rbb(基极偏置电阻)+26/Ib
@查辰1466：三极管r eb值
计胡14762385022…… 严格的公式为:rbe=rbb'+(1+β)*26mV/Ie,过去,由于晶体管工艺不好,生产过很多锗材料的低频管,这种管子rbb'=300Ω,现在大多生产硅管了,其特征频率大大提高,rbb'一般只有几十Ω,而且特征频率越高,rbb'也越小,80Ω的有,50Ω,30Ω的都有,于是现代教材一般回避这个问题,不再要求计算rbe了,或者部分教材干脆来了一个rbe≈(1+β)*26mV/Ie.rbb'这个电阻很不好,它是三极管的基区电阻,在三极管π参数中我们会看到,它严重影响了三极管工作频率的提高,随着生产工艺水平的不断提高,rbb'会越来越小,最终被忽略不计.在微波三极管中,rbb'已经被忽略不计.
计胡14762385022…… rbe的计算公式:rbe=rbb'+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}],计算的是三极管的输入电阻.三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件.作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关.三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOS FET和VMOS都是绝缘型的场效应管.
@查辰1466：共射级放大电路中的rbe是什么意思,急求答案 -
计胡14762385022…… rbe 由基区电阻rbb',发射结电阻rb'e',发射区电阻re组成,rbb'一般几十到几百欧姆,可以查手册,re一般几欧姆可以忽略不计.所以rbe=ube/ib=(ubb'+ub'e')/ib=rbb'+ie/ib*rb'e', 其中rb'e'=ut/ie. 所以 rbe=rbb'+(1+β)ut/ie 常温下ut一般为26mv.
@查辰1466：模拟电子线路 求问这道题中估算rbe时,题目中没说明rbb'=200欧姆,是怎么来的 -
计胡14762385022…… 看你所用的书的第129页,表达式(4.3.7a),Rbb' 和Re 是三极管器件生产出来后自带的属性.一般题目中不给,书上都默认为是200Ω,用这个值不会错.有的题目会给出,比如:131页,例4.3.2
@查辰1466：晶体管的基极 - 发射极电阻rbe是由rbb算出来的,但是rbb在晶体管的datasheet中没有给出,怎样得到这个值? -
计胡14762385022…… 这个值用处不抄大,一般看作200就行.或者看Vbe-Ib曲线,取静态工作点袭处的切线斜率. 我做三级管放2113大电路的5261时4102候,尽量避免rbb、hfe之类的参数对电路的影响,因为就算是同一型号的三级管,个体之间也有差异1653.
@查辰1466：电子技术基础中r(be)什么算 -
计胡14762385022…… rbe=rbb`+(1+β)26mV/Ie=rbb`+26mV/Ib式中rbb`=100-300的常数,高频管取100Ω、低频管取300Ω,有给定值的去给定值.Ie、Ib为静态计算是的发射极电流或基极电流,以mA为单位,计算结果是欧姆.
@查辰1466：模拟电路求解静态工作点 -
计胡14762385022…… Ubeq与rbb'都是常数,如果出题者没有申明,则一般取rbb'=200Ω,照硅管取Ubeq=0.7V 模拟电子技术中的常熟还有很多很多. 以下是摘自《模拟电子技术》作者元增民老师给他的学生辅导时指出的常数解决本题就需要热电压常数UT=26...
@查辰1466：模拟电路放大Rbe问题 -
计胡14762385022…… 这个200还是300,指的是rbb,也就是发射结的体电阻. 按道理说,这个值在做题目时要题目给出的. 如果不给,你可以在题目解答时明确写出来: 假设rbb=200欧(一定要写),后面按正常解答,老师要足够专业的话,绝对不会算你错的.
@查辰1466：2.电路如图所示,电路中的晶体管β=60 -
计胡14762385022…… (1)静态工作点可以求一个,就是集电极电流ICQ;也可以求三个,再加上基极电流IBQ和集--射间电压UCEQ. 本图所示电路静态工作点的求解公式: 1、 IBQ=(Vcc-UBE)/Rb 一般认为UBE是已知(硅管为0.6V,锗管为0.3V,在题中若没有说明...
@查辰1466：三极管电路中,rbe(be为脚码)是什么意思?怎么定义的?
计胡14762385022…… Rbe是基极到发射极的电阻,=Rbb(基极偏置电阻)+26/Ib
@查辰1466：三极管r eb值
计胡14762385022…… 严格的公式为:rbe=rbb'+(1+β)*26mV/Ie,过去,由于晶体管工艺不好,生产过很多锗材料的低频管,这种管子rbb'=300Ω,现在大多生产硅管了,其特征频率大大提高,rbb'一般只有几十Ω,而且特征频率越高,rbb'也越小,80Ω的有,50Ω,30Ω的都有,于是现代教材一般回避这个问题,不再要求计算rbe了,或者部分教材干脆来了一个rbe≈(1+β)*26mV/Ie.rbb'这个电阻很不好,它是三极管的基区电阻,在三极管π参数中我们会看到,它严重影响了三极管工作频率的提高,随着生产工艺水平的不断提高,rbb'会越来越小,最终被忽略不计.在微波三极管中,rbb'已经被忽略不计.
