rbe公式中的rbb
@姚贵6499：rbe的计算公式
欧振15610703237…… rbe的计算公式:rbe=rbb'+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}],计算的是三极管的输入电阻.三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件.作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关.三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOS FET和VMOS都是绝缘型的场效应管.
@姚贵6499：共射级放大电路中的rbe是什么意思,急求答案 -
欧振15610703237…… rbe 由基区电阻rbb',发射结电阻rb'e',发射区电阻re组成,rbb'一般几十到几百欧姆,可以查手册,re一般几欧姆可以忽略不计.所以rbe=ube/ib=(ubb'+ub'e')/ib=rbb'+ie/ib*rb'e', 其中rb'e'=ut/ie. 所以 rbe=rbb'+(1+β)ut/ie 常温下ut一般为26mv.
@姚贵6499：模拟电路求解静态工作点 -
欧振15610703237…… Ubeq与rbb'都是常数,如果出题者没有申明,则一般取rbb'=200Ω,照硅管取Ubeq=0.7V 模拟电子技术中的常熟还有很多很多. 以下是摘自《模拟电子技术》作者元增民老师给他的学生辅导时指出的常数解决本题就需要热电压常数UT=26...
@姚贵6499：模拟电子线路 求问这道题中估算rbe时,题目中没说明rbb'=200欧姆,是怎么来的 -
欧振15610703237…… 看你所用的书的第129页,表达式(4.3.7a),Rbb' 和Re 是三极管器件生产出来后自带的属性.一般题目中不给,书上都默认为是200Ω,用这个值不会错.有的题目会给出,比如:131页,例4.3.2
@姚贵6499：三极管中等效电路Rbe=r'bb+(1+β)*26/Icq和Rbe=r'bb+β*26/Icq这加一和不加一有什么区别?高分求解 -
欧振15610703237…… Rbe=rbb'+rb'e=rbb'+(1+β)re=rbb'+(1+β)Ve/Ieq=rbb'+(1+β)Ve/(1+β)Ibq =rbb'+Ve/Ibq=rbb'+βVe/βIbq=rbb'+βVe/Icq(标准条件下,Ve约为26mV) 又由于通常β>>1,所以1+β和β基本没多大的区别,可以近似代替.
@姚贵6499：三极管r eb值
欧振15610703237…… 严格的公式为:rbe=rbb'+(1+β)*26mV/Ie,过去,由于晶体管工艺不好,生产过很多锗材料的低频管,这种管子rbb'=300Ω,现在大多生产硅管了,其特征频率大大提高,rbb'一般只有几十Ω,而且特征频率越高,rbb'也越小,80Ω的有,50Ω,30Ω的都有,于是现代教材一般回避这个问题,不再要求计算rbe了,或者部分教材干脆来了一个rbe≈(1+β)*26mV/Ie.rbb'这个电阻很不好,它是三极管的基区电阻,在三极管π参数中我们会看到,它严重影响了三极管工作频率的提高,随着生产工艺水平的不断提高,rbb'会越来越小,最终被忽略不计.在微波三极管中,rbb'已经被忽略不计.
@姚贵6499：放大电路计算 -
欧振15610703237…… 1.求IB的时候当然是电阻Rb两端的压差除以电阻值啦,即(Vcc-Ube)/Rb,这个是最基本的欧姆定律吧. 2. 而对于rbe值,有一个公式,rbe=rb+(1+β)*re. rb指的是基区体电阻,(1+β)*re是re折算到基极回路的等效电阻(怎么折?看一下小信号模型分析就知道了).而re=VT/IE,其中,VT在温度为300K时,等于26mV. 补充: 基区体电阻很好理解,半导体也是一种导体,就必然有阻抗值.且对于低频小功率管子,其值大约200欧.
@姚贵6499：三极管电路中,rbe(be为脚码)是什么意思?怎么定义的?
欧振15610703237…… Rbe是基极到发射极的电阻,=Rbb(基极偏置电阻)+26/Ib
@姚贵6499：模拟电路放大Rbe问题 -
欧振15610703237…… 这个200还是300,指的是rbb,也就是发射结的体电阻. 按道理说,这个值在做题目时要题目给出的. 如果不给,你可以在题目解答时明确写出来: 假设rbb=200欧(一定要写),后面按正常解答,老师要足够专业的话,绝对不会算你错的.
@姚贵6499：三极管电路中,rbe(be为脚码)是什么意思?怎么定义的? -
欧振15610703237…… rbe是BJT晶体管的输入电阻,其定义是BJT输入特性曲线的斜率,即输入的发射结电压增量与基极电流增量的比值,脚码b代表基极,e代表发射极,rbe就代表基极到发射极之间的动态电阻.
欧振15610703237…… rbe的计算公式:rbe=rbb'+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}],计算的是三极管的输入电阻.三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件.作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关.三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOS FET和VMOS都是绝缘型的场效应管.
@姚贵6499：共射级放大电路中的rbe是什么意思,急求答案 -
欧振15610703237…… rbe 由基区电阻rbb',发射结电阻rb'e',发射区电阻re组成,rbb'一般几十到几百欧姆,可以查手册,re一般几欧姆可以忽略不计.所以rbe=ube/ib=(ubb'+ub'e')/ib=rbb'+ie/ib*rb'e', 其中rb'e'=ut/ie. 所以 rbe=rbb'+(1+β)ut/ie 常温下ut一般为26mv.
@姚贵6499：模拟电路求解静态工作点 -
欧振15610703237…… Ubeq与rbb'都是常数,如果出题者没有申明,则一般取rbb'=200Ω,照硅管取Ubeq=0.7V 模拟电子技术中的常熟还有很多很多. 以下是摘自《模拟电子技术》作者元增民老师给他的学生辅导时指出的常数解决本题就需要热电压常数UT=26...
@姚贵6499：模拟电子线路 求问这道题中估算rbe时,题目中没说明rbb'=200欧姆,是怎么来的 -
欧振15610703237…… 看你所用的书的第129页,表达式(4.3.7a),Rbb' 和Re 是三极管器件生产出来后自带的属性.一般题目中不给,书上都默认为是200Ω,用这个值不会错.有的题目会给出,比如:131页,例4.3.2
@姚贵6499：三极管中等效电路Rbe=r'bb+(1+β)*26/Icq和Rbe=r'bb+β*26/Icq这加一和不加一有什么区别?高分求解 -
欧振15610703237…… Rbe=rbb'+rb'e=rbb'+(1+β)re=rbb'+(1+β)Ve/Ieq=rbb'+(1+β)Ve/(1+β)Ibq =rbb'+Ve/Ibq=rbb'+βVe/βIbq=rbb'+βVe/Icq(标准条件下,Ve约为26mV) 又由于通常β>>1,所以1+β和β基本没多大的区别,可以近似代替.
@姚贵6499：三极管r eb值
欧振15610703237…… 严格的公式为:rbe=rbb'+(1+β)*26mV/Ie,过去,由于晶体管工艺不好,生产过很多锗材料的低频管,这种管子rbb'=300Ω,现在大多生产硅管了,其特征频率大大提高,rbb'一般只有几十Ω,而且特征频率越高,rbb'也越小,80Ω的有,50Ω,30Ω的都有,于是现代教材一般回避这个问题,不再要求计算rbe了,或者部分教材干脆来了一个rbe≈(1+β)*26mV/Ie.rbb'这个电阻很不好,它是三极管的基区电阻,在三极管π参数中我们会看到,它严重影响了三极管工作频率的提高,随着生产工艺水平的不断提高,rbb'会越来越小,最终被忽略不计.在微波三极管中,rbb'已经被忽略不计.
@姚贵6499：放大电路计算 -
欧振15610703237…… 1.求IB的时候当然是电阻Rb两端的压差除以电阻值啦,即(Vcc-Ube)/Rb,这个是最基本的欧姆定律吧. 2. 而对于rbe值,有一个公式,rbe=rb+(1+β)*re. rb指的是基区体电阻,(1+β)*re是re折算到基极回路的等效电阻(怎么折?看一下小信号模型分析就知道了).而re=VT/IE,其中,VT在温度为300K时,等于26mV. 补充: 基区体电阻很好理解,半导体也是一种导体,就必然有阻抗值.且对于低频小功率管子,其值大约200欧.
@姚贵6499：三极管电路中,rbe(be为脚码)是什么意思?怎么定义的?
欧振15610703237…… Rbe是基极到发射极的电阻,=Rbb(基极偏置电阻)+26/Ib
@姚贵6499：模拟电路放大Rbe问题 -
欧振15610703237…… 这个200还是300,指的是rbb,也就是发射结的体电阻. 按道理说,这个值在做题目时要题目给出的. 如果不给,你可以在题目解答时明确写出来: 假设rbb=200欧(一定要写),后面按正常解答,老师要足够专业的话,绝对不会算你错的.
@姚贵6499：三极管电路中,rbe(be为脚码)是什么意思?怎么定义的? -
欧振15610703237…… rbe是BJT晶体管的输入电阻,其定义是BJT输入特性曲线的斜率,即输入的发射结电压增量与基极电流增量的比值,脚码b代表基极,e代表发射极,rbe就代表基极到发射极之间的动态电阻.
