rbb怎么求一般取多少
@解俩1163：模拟电路求解静态工作点 -
郜梦15985972273…… Ubeq与rbb'都是常数,如果出题者没有申明,则一般取rbb'=200Ω,照硅管取Ubeq=0.7V 模拟电子技术中的常熟还有很多很多. 以下是摘自《模拟电子技术》作者元增民老师给他的学生辅导时指出的常数解决本题就需要热电压常数UT=26...
@解俩1163：三级管放大电路放大倍数怎么确定? -
郜梦15985972273…… 举个例子:设三极管是NPN型,供电电压为Vcc,基极供电非分压式的(基极到电源一个电阻)为Rb,发射极接地,集电极到电源电阻为Rc.如果此时电路在放大区,测量Rb两端电压(Ub),测Rc两端电压(Uc).计算Ib=Ub/Rb,计算Ic=Uc/Rc.β=Ic/Ib.
@解俩1163：晶体管的基极 - 发射极电阻rbe是由rbb算出来的,但是rbb在晶体管的datasheet中没有给出,怎样得到这个值? -
郜梦15985972273…… 这个值用处不抄大,一般看作200就行.或者看Vbe-Ib曲线,取静态工作点袭处的切线斜率. 我做三级管放2113大电路的5261时4102候,尽量避免rbb、hfe之类的参数对电路的影响,因为就算是同一型号的三级管,个体之间也有差异1653.
@解俩1163：共集电极放大电路输出回路求法,也就是那个小ib怎么来的?或小ie怎么来的 -
郜梦15985972273…… 你好!ib=vb/rb+(1+β)re vb偏置电压,rb基极限流电阻,β三极管放大倍数,re射极电阻.射随器的作用是无电压放大作用,主要功能是输入电阻高,射出电阻小,用于信号隔离.仅代表个人观点,不喜勿喷,谢谢.
@解俩1163：电子技术基础中r(be)什么算 -
郜梦15985972273…… rbe=rbb`+(1+β)26mV/Ie=rbb`+26mV/Ib式中rbb`=100-300的常数,高频管取100Ω、低频管取300Ω,有给定值的去给定值.Ie、Ib为静态计算是的发射极电流或基极电流,以mA为单位,计算结果是欧姆.
@解俩1163：模拟电路放大Rbe问题 -
郜梦15985972273…… 这个200还是300,指的是rbb,也就是发射结的体电阻. 按道理说,这个值在做题目时要题目给出的. 如果不给,你可以在题目解答时明确写出来: 假设rbb=200欧(一定要写),后面按正常解答,老师要足够专业的话,绝对不会算你错的.
@解俩1163：关于模拟电路,放大电路的题目 -
郜梦15985972273…… (1)静态工作点:Ibq=Vcc/Rb=12/300=0.04mA=40μA, Icq=βIbq=50*0.04=2mA Uceq=Vcc-Icq*Rc=12-2*3=6V (2) (3)输入电阻Ri:rbe=rbb'+(1+β)Ut/Ieq=300+(1+50)*26/2.04=0.95kΩ (rbb'取的是300Ω) Ri=rbe//Rb≈rbe=0.95kΩ 输出电阻Ro:Ro=Rc=3kΩ (4)...
@解俩1163：rbe的计算公式
郜梦15985972273…… rbe的计算公式:rbe=rbb'+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}],计算的是三极管的输入电阻.三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件.作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关.三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOS FET和VMOS都是绝缘型的场效应管.
@解俩1163：已知UCC=12V,RB1=15kΩ, RB2=3kΩ,RC=3kΩ,RE=1.4kΩ,RL=3kΩ,晶体管的β=50,UBE=0.6V. -
郜梦15985972273…… 见附图,其中rbe中的300为rbb`,也有取200的.
@解俩1163：Rb Rc 对共射放大电路的放大倍数的影响,怎么设计?课设
郜梦15985972273…… 由于画图比较麻烦,我就简单说一下. 1、如果你想知道Rb Rc 对共射放大电路的放大倍数的影响,首先你要画出此电路的交流小信号等效图.图可参考模电,通过图你建立电路方程可得 Vo/Vi=(beta*Rc)/(Rb+Rbb) ,beta 为三极管电流放大倍数...
郜梦15985972273…… Ubeq与rbb'都是常数,如果出题者没有申明,则一般取rbb'=200Ω,照硅管取Ubeq=0.7V 模拟电子技术中的常熟还有很多很多. 以下是摘自《模拟电子技术》作者元增民老师给他的学生辅导时指出的常数解决本题就需要热电压常数UT=26...
@解俩1163：三级管放大电路放大倍数怎么确定? -
郜梦15985972273…… 举个例子:设三极管是NPN型,供电电压为Vcc,基极供电非分压式的(基极到电源一个电阻)为Rb,发射极接地,集电极到电源电阻为Rc.如果此时电路在放大区,测量Rb两端电压(Ub),测Rc两端电压(Uc).计算Ib=Ub/Rb,计算Ic=Uc/Rc.β=Ic/Ib.
@解俩1163：晶体管的基极 - 发射极电阻rbe是由rbb算出来的,但是rbb在晶体管的datasheet中没有给出,怎样得到这个值? -
郜梦15985972273…… 这个值用处不抄大,一般看作200就行.或者看Vbe-Ib曲线,取静态工作点袭处的切线斜率. 我做三级管放2113大电路的5261时4102候,尽量避免rbb、hfe之类的参数对电路的影响,因为就算是同一型号的三级管,个体之间也有差异1653.
@解俩1163：共集电极放大电路输出回路求法,也就是那个小ib怎么来的?或小ie怎么来的 -
郜梦15985972273…… 你好!ib=vb/rb+(1+β)re vb偏置电压,rb基极限流电阻,β三极管放大倍数,re射极电阻.射随器的作用是无电压放大作用,主要功能是输入电阻高,射出电阻小,用于信号隔离.仅代表个人观点,不喜勿喷,谢谢.
@解俩1163：电子技术基础中r(be)什么算 -
郜梦15985972273…… rbe=rbb`+(1+β)26mV/Ie=rbb`+26mV/Ib式中rbb`=100-300的常数,高频管取100Ω、低频管取300Ω,有给定值的去给定值.Ie、Ib为静态计算是的发射极电流或基极电流,以mA为单位,计算结果是欧姆.
@解俩1163：模拟电路放大Rbe问题 -
郜梦15985972273…… 这个200还是300,指的是rbb,也就是发射结的体电阻. 按道理说,这个值在做题目时要题目给出的. 如果不给,你可以在题目解答时明确写出来: 假设rbb=200欧(一定要写),后面按正常解答,老师要足够专业的话,绝对不会算你错的.
@解俩1163：关于模拟电路,放大电路的题目 -
郜梦15985972273…… (1)静态工作点:Ibq=Vcc/Rb=12/300=0.04mA=40μA, Icq=βIbq=50*0.04=2mA Uceq=Vcc-Icq*Rc=12-2*3=6V (2) (3)输入电阻Ri:rbe=rbb'+(1+β)Ut/Ieq=300+(1+50)*26/2.04=0.95kΩ (rbb'取的是300Ω) Ri=rbe//Rb≈rbe=0.95kΩ 输出电阻Ro:Ro=Rc=3kΩ (4)...
@解俩1163：rbe的计算公式
郜梦15985972273…… rbe的计算公式:rbe=rbb'+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}],计算的是三极管的输入电阻.三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件.作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关.三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOS FET和VMOS都是绝缘型的场效应管.
@解俩1163：已知UCC=12V,RB1=15kΩ, RB2=3kΩ,RC=3kΩ,RE=1.4kΩ,RL=3kΩ,晶体管的β=50,UBE=0.6V. -
郜梦15985972273…… 见附图,其中rbe中的300为rbb`,也有取200的.
@解俩1163：Rb Rc 对共射放大电路的放大倍数的影响,怎么设计?课设
郜梦15985972273…… 由于画图比较麻烦,我就简单说一下. 1、如果你想知道Rb Rc 对共射放大电路的放大倍数的影响,首先你要画出此电路的交流小信号等效图.图可参考模电,通过图你建立电路方程可得 Vo/Vi=(beta*Rc)/(Rb+Rbb) ,beta 为三极管电流放大倍数...
