nmos源漏
@第学607：NMOS的源极与漏极的标示有什么含?NMOS的源极与漏极的标示有
巩平15067377080…… 左图NMOS的源极与漏极上标示的“N+”代表着两个意义:(1)N代表掺杂(doped)在源极与漏极区域的杂质极性为N;(2)“+”代表这个区域为高掺杂浓度区域(heavilydopedregion),也就是此区的电子浓度远高于其他区域
@第学607：比如说N沟道增强型MOS管,电流从漏极到源极,是不是电流只经过沟道而不经过衬底,还有连接在衬底和源极... -
巩平15067377080…… 电流只经过沟道,不经过衬底,没毛病.这里的沟道也叫“反型层”. 沟道的作用:连接两个N掺杂区,这样就可以导通了.沟道来自于P掺杂区,因为G极和衬底B之间电场的作用,电子大量聚集在G极这里,所以这一块的P区就变成了N区(所...
@第学607：ltps 中pmos和nmos的区别 -
巩平15067377080…… LTPS TFT中 PMOS也叫PTFT, 源漏端是P型掺杂,栅极下面,也就是沟道中,是N型掺杂. NMOS也叫NTFT,源漏端是N型掺杂,栅极下面,也就是沟道中,是P型掺杂. *通常,N型掺杂用的是磷元素,P型掺杂用的是硼元素. 一般在电路中,PTFT是负电压开启,NTFT是正电压开启.
@第学607：MOS管测量好坏时,漏极和源极有几百欧为正常,那它在电路中怎样实现关断呢 -
巩平15067377080…… 其实MOS主要是通过栅控制器件的开启和导通,所以以NMOS管为例,只需要将栅压降得足够低,让它在衬底中无法形成反型层,也就没有了沟道,没有低阻通路,自然就变成高阻态,从漏源两端看上去,它便是关断的
@第学607：pmos晶体管的工作原理 -
巩平15067377080…… PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor别名 : positive MOS金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在...
@第学607：什么是NMOS工艺 -
巩平15067377080…… 英文全称为:N-Mental-Oxide-Semiconductor;Metal-Oxide-SemIConductor的意思为金属-氧化物-半导体,而拥有这种结构的晶体管我们称之为MOS晶体管.它有P型MOS管和N型MOS管之分.由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,由...
@第学607：mos管在饱和区时,其电子沟道已经被夹断了,为什么还有漏电流存在了? -
巩平15067377080…… 一、先讲反型电子来自哪里: 1. 漏源电压为0.栅电压为正,p型衬底空穴被排斥,少子电子被吸引到表面;随着栅压增加,少子电子越来越多聚集在衬底表面,形成一层很薄的电子沟道,俗称反型.此时反型电子来自于衬底. 2. 漏源电压不为...
@第学607：增强型NMOS的漏源电压和栅源电压如何安排,管子才有放大作用 -
巩平15067377080…… 此图为《电子技术基础》模拟部分的一个NMOS管的图 图中显示开启电压Vt(即删源之间的电压为2V)我查了一下基本元器件 《当VGS大于管子的开启电压VTN(一般约为+2V)时,N沟道管开始导通,形成漏极电流ID.》http://www.mwtee.com/forum.php?mod=viewthread&;tid=19941&ordertype=1&page=2网址 漏源电压3~20V左右(书中图示)具体元件你查一下它的主要参数就知道了
@第学607：MOS管的源极,漏极,栅极是不是联通的,电流是什么走向?
巩平15067377080…… 栅极控制源极和漏极间的电流,MOS导通后源和漏之间形成沟道,电流可以在沟道中流动,n管是漏流向源,p管相反.而MOS栅极一端是多晶硅,绝缘的,没电流,只是控制沟道电流的大小,就像水龙头一样.
巩平15067377080…… 左图NMOS的源极与漏极上标示的“N+”代表着两个意义:(1)N代表掺杂(doped)在源极与漏极区域的杂质极性为N;(2)“+”代表这个区域为高掺杂浓度区域(heavilydopedregion),也就是此区的电子浓度远高于其他区域
@第学607：比如说N沟道增强型MOS管,电流从漏极到源极,是不是电流只经过沟道而不经过衬底,还有连接在衬底和源极... -
巩平15067377080…… 电流只经过沟道,不经过衬底,没毛病.这里的沟道也叫“反型层”. 沟道的作用:连接两个N掺杂区,这样就可以导通了.沟道来自于P掺杂区,因为G极和衬底B之间电场的作用,电子大量聚集在G极这里,所以这一块的P区就变成了N区(所...
@第学607：ltps 中pmos和nmos的区别 -
巩平15067377080…… LTPS TFT中 PMOS也叫PTFT, 源漏端是P型掺杂,栅极下面,也就是沟道中,是N型掺杂. NMOS也叫NTFT,源漏端是N型掺杂,栅极下面,也就是沟道中,是P型掺杂. *通常,N型掺杂用的是磷元素,P型掺杂用的是硼元素. 一般在电路中,PTFT是负电压开启,NTFT是正电压开启.
@第学607：MOS管测量好坏时,漏极和源极有几百欧为正常,那它在电路中怎样实现关断呢 -
巩平15067377080…… 其实MOS主要是通过栅控制器件的开启和导通,所以以NMOS管为例,只需要将栅压降得足够低,让它在衬底中无法形成反型层,也就没有了沟道,没有低阻通路,自然就变成高阻态,从漏源两端看上去,它便是关断的
@第学607：pmos晶体管的工作原理 -
巩平15067377080…… PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor别名 : positive MOS金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在...
@第学607：什么是NMOS工艺 -
巩平15067377080…… 英文全称为:N-Mental-Oxide-Semiconductor;Metal-Oxide-SemIConductor的意思为金属-氧化物-半导体,而拥有这种结构的晶体管我们称之为MOS晶体管.它有P型MOS管和N型MOS管之分.由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,由...
@第学607：mos管在饱和区时,其电子沟道已经被夹断了,为什么还有漏电流存在了? -
巩平15067377080…… 一、先讲反型电子来自哪里: 1. 漏源电压为0.栅电压为正,p型衬底空穴被排斥,少子电子被吸引到表面;随着栅压增加,少子电子越来越多聚集在衬底表面,形成一层很薄的电子沟道,俗称反型.此时反型电子来自于衬底. 2. 漏源电压不为...
@第学607：增强型NMOS的漏源电压和栅源电压如何安排,管子才有放大作用 -
巩平15067377080…… 此图为《电子技术基础》模拟部分的一个NMOS管的图 图中显示开启电压Vt(即删源之间的电压为2V)我查了一下基本元器件 《当VGS大于管子的开启电压VTN(一般约为+2V)时,N沟道管开始导通,形成漏极电流ID.》http://www.mwtee.com/forum.php?mod=viewthread&;tid=19941&ordertype=1&page=2网址 漏源电压3~20V左右(书中图示)具体元件你查一下它的主要参数就知道了
@第学607：MOS管的源极,漏极,栅极是不是联通的,电流是什么走向?
巩平15067377080…… 栅极控制源极和漏极间的电流,MOS导通后源和漏之间形成沟道,电流可以在沟道中流动,n管是漏流向源,p管相反.而MOS栅极一端是多晶硅,绝缘的,没电流,只是控制沟道电流的大小,就像水龙头一样.
