pmos+nmos+电调
@古哀2212：NMOS和PMOS开关有什么不?NMOS和PMOS开关有什么不同
查和15550138754…… NMOS开关能容许通过的电压上限为(VgateVthn),而PMOS开关则为(Vgate+Vthp),这个值通常不是信号原本的电压振幅,也就是说单一MOSFET开关会有让信号振幅变小、信号失真的缺点
@古哀2212：有些关于电机驱动的问题想要请教 -
查和15550138754…… 功率输出桥是对的,你的问题是出在驱动电路上.你把上半桥驱动电源和下半桥驱动电源分开,驱动信号用光耦合送过来,保证电机会跟你想得一样跑起来.
@古哀2212：MOS管P沟道不用栅极触发就通?
查和15550138754…… Pmos要截止,由于电机接了12V电源,需要栅极接12V才能关闭.对于PMOS来说,和PNP类似.需要把12V当零,GND当做-12V.这时,0V截止,负电压导通.接的+5V相当于-7V,当然要导通了.
@古哀2212：场效应管开关的原理是什么?
查和15550138754…… 当输入电压在(VDDVthn)和(VSS+Vthp)时,PMOS与NMOS都导通,而输入小于(VSS+Vthp)时,只有NMOS导通,输入大于(VDDVthn)时只有PMOS导通,这样做的好处是在大部分的输入电压下,PMOS与NMOS皆同时导通,如果任一边的导通电阻上升,则另一边的导通电阻就会下降,所以开关的电阻几乎可以保持定值,减少信号失真
@古哀2212：关于PMOS栅源电压 -
查和15550138754…… 你的H桥是P-Nmos管组合的那种吧,保证栅源电压小于20V可以在栅源之间并上一个稳压二极管来钳制栅源电压.N管同样如此
@古哀2212：寻求真正的电子工程师,irf640 NMOS管开关电路 ,求解!!! -
查和15550138754…… 大哥,不是这样做的吧,NPN+PMOS才做电源控制,你这是NPN+NMOS,R21直接换成0欧,你去量,肯定就通了,只不过没有控制啥事了. 还有NMOS的衬底一般做出来的时候是和源极接在一起的,开机NMOS需控制电压(相对衬底)大于开启电压,你这样接 衬底完全悬空了,现在的电路无论你怎么控制都达不到你的要求,电路本身设计就错了,NMOS一般是做低输出的,PMOS才是高输出电路,这个性质和三极管的NPN和PNP差不多的.
@古哀2212：怎么用NMOS表现F=ABC 和F=A+B+C 逻辑电路分析
查和15550138754…… 对于CMOS电路,分为N网络和P网络. P网络在上,N网络在下. P网络的逻辑是与并或串,N网络与串或并. 这样出来的结果是反逻辑. 比如F=ABC,这是与逻辑,上面的P网络就是三只PMOS并联(源端连一起接电源,漏端连在一起作为输出),然后三只PMOS的栅极分别接信号A、B、C. 对于下面的N网络,三只NMOS依次串联,栅极接ABC.最上面的一个NMOS的漏端作为输出,最下面的NMOS源端接地. 这样出来的是反逻辑,就是F取非,再在输出端接一个非门就可以了. 对于或逻辑以此类推.
@古哀2212：传输模拟高电平用什么管?N管还是P管?为什么 -
查和15550138754…… 这个要分N MOS管还是PMOS管的,而且和D级(N管)或者S级(P管)的电源有关,例如 N管D接,接上拉电阻到+12V,这时候如果NMOS管的开启电压如果是P管,S级接电源,只要G极电压低于S级电压,就形成导电沟道.从而使PMOS管形成一个可变的R,SG电压差越大,R越小,当R足够小时, 电平就为低电平
@古哀2212：PMOS管的介绍 -
查和15550138754…… PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管 全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor 别名 : positive MOS 金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管...
@古哀2212：驱动电机是否需要固定的频率和占空比 -
查和15550138754…… 没有这样的要求,根据需要来调整频率与脉宽.
查和15550138754…… NMOS开关能容许通过的电压上限为(VgateVthn),而PMOS开关则为(Vgate+Vthp),这个值通常不是信号原本的电压振幅,也就是说单一MOSFET开关会有让信号振幅变小、信号失真的缺点
@古哀2212：有些关于电机驱动的问题想要请教 -
查和15550138754…… 功率输出桥是对的,你的问题是出在驱动电路上.你把上半桥驱动电源和下半桥驱动电源分开,驱动信号用光耦合送过来,保证电机会跟你想得一样跑起来.
@古哀2212：MOS管P沟道不用栅极触发就通?
查和15550138754…… Pmos要截止,由于电机接了12V电源,需要栅极接12V才能关闭.对于PMOS来说,和PNP类似.需要把12V当零,GND当做-12V.这时,0V截止,负电压导通.接的+5V相当于-7V,当然要导通了.
@古哀2212：场效应管开关的原理是什么?
查和15550138754…… 当输入电压在(VDDVthn)和(VSS+Vthp)时,PMOS与NMOS都导通,而输入小于(VSS+Vthp)时,只有NMOS导通,输入大于(VDDVthn)时只有PMOS导通,这样做的好处是在大部分的输入电压下,PMOS与NMOS皆同时导通,如果任一边的导通电阻上升,则另一边的导通电阻就会下降,所以开关的电阻几乎可以保持定值,减少信号失真
@古哀2212：关于PMOS栅源电压 -
查和15550138754…… 你的H桥是P-Nmos管组合的那种吧,保证栅源电压小于20V可以在栅源之间并上一个稳压二极管来钳制栅源电压.N管同样如此
@古哀2212：寻求真正的电子工程师,irf640 NMOS管开关电路 ,求解!!! -
查和15550138754…… 大哥,不是这样做的吧,NPN+PMOS才做电源控制,你这是NPN+NMOS,R21直接换成0欧,你去量,肯定就通了,只不过没有控制啥事了. 还有NMOS的衬底一般做出来的时候是和源极接在一起的,开机NMOS需控制电压(相对衬底)大于开启电压,你这样接 衬底完全悬空了,现在的电路无论你怎么控制都达不到你的要求,电路本身设计就错了,NMOS一般是做低输出的,PMOS才是高输出电路,这个性质和三极管的NPN和PNP差不多的.
@古哀2212：怎么用NMOS表现F=ABC 和F=A+B+C 逻辑电路分析
查和15550138754…… 对于CMOS电路,分为N网络和P网络. P网络在上,N网络在下. P网络的逻辑是与并或串,N网络与串或并. 这样出来的结果是反逻辑. 比如F=ABC,这是与逻辑,上面的P网络就是三只PMOS并联(源端连一起接电源,漏端连在一起作为输出),然后三只PMOS的栅极分别接信号A、B、C. 对于下面的N网络,三只NMOS依次串联,栅极接ABC.最上面的一个NMOS的漏端作为输出,最下面的NMOS源端接地. 这样出来的是反逻辑,就是F取非,再在输出端接一个非门就可以了. 对于或逻辑以此类推.
@古哀2212：传输模拟高电平用什么管?N管还是P管?为什么 -
查和15550138754…… 这个要分N MOS管还是PMOS管的,而且和D级(N管)或者S级(P管)的电源有关,例如 N管D接,接上拉电阻到+12V,这时候如果NMOS管的开启电压如果是P管,S级接电源,只要G极电压低于S级电压,就形成导电沟道.从而使PMOS管形成一个可变的R,SG电压差越大,R越小,当R足够小时, 电平就为低电平
@古哀2212：PMOS管的介绍 -
查和15550138754…… PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管 全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor 别名 : positive MOS 金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管...
@古哀2212：驱动电机是否需要固定的频率和占空比 -
查和15550138754…… 没有这样的要求,根据需要来调整频率与脉宽.
