rbb的计算公式
@裴齿4337：模拟电子技术基础 rbb'什么意思 -
辛钞19593544157…… 就是b到b'的电阻.低频主要是通过rbb'算出基射极间电阻rb'e的.一般题目会给出公式的.
@裴齿4337：2.电路如图所示,电路中的晶体管β=60 -
辛钞19593544157…… (1)静态工作点可以求一个,就是集电极电流ICQ;也可以求三个,再加上基极电流IBQ和集--射间电压UCEQ. 本图所示电路静态工作点的求解公式: 1、 IBQ=(Vcc-UBE)/Rb 一般认为UBE是已知(硅管为0.6V,锗管为0.3V,在题中若没有说明...
@裴齿4337：放大电路计算 -
辛钞19593544157…… 1.求IB的时候当然是电阻Rb两端的压差除以电阻值啦,即(Vcc-Ube)/Rb,这个是最基本的欧姆定律吧. 2. 而对于rbe值,有一个公式,rbe=rb+(1+β)*re. rb指的是基区体电阻,(1+β)*re是re折算到基极回路的等效电阻(怎么折?看一下小信号模型分析就知道了).而re=VT/IE,其中,VT在温度为300K时,等于26mV. 补充: 基区体电阻很好理解,半导体也是一种导体,就必然有阻抗值.且对于低频小功率管子,其值大约200欧.
@裴齿4337：模拟电路求解静态工作点 -
辛钞19593544157…… Ubeq与rbb'都是常数,如果出题者没有申明,则一般取rbb'=200Ω,照硅管取Ubeq=0.7V 模拟电子技术中的常熟还有很多很多. 以下是摘自《模拟电子技术》作者元增民老师给他的学生辅导时指出的常数解决本题就需要热电压常数UT=26...
@裴齿4337：rbe的计算公式
辛钞19593544157…… rbe的计算公式:rbe=rbb'+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}],计算的是三极管的输入电阻.三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件.作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关.三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOS FET和VMOS都是绝缘型的场效应管.
@裴齿4337：模拟电路中这个符号是什么意思啊 -
辛钞19593544157…… R=R1 // R2 表示R等于R1与R2的并联; 计算方法是:1/R = 1/R1 + 1/R2 R = R1*R2 / (R1 +R2) R=R1//R2//R3 表示3个电阻的并联;可以先算出R1//R2的并联电阻R12,再算R12与R3的并联电阻.
@裴齿4337：晶体管单管共射放大电路交流参数计算英文字母含义代表...? -
辛钞19593544157…… aa这是放大线路设计公式 Rbe是三极管 B到E的内阻 rbb 是三极管基区体电阻 RL是负载 RC是集电极电阻 AV是放大倍数 Beta 是放大倍数(就是那个和B一样的) Ri输入阻抗 Rb是基极串入电阻 R0是输出阻抗 这个公式是计算放大倍数
@裴齿4337：复合管等效输入电阻怎么求? -
辛钞19593544157…… 复合管通是指双极型三级管(场效应管是单极型,通常不采用复合管方式),两只或多只管子按复合方式连接.复合方式主要分两种,同型复合和互补复合型的,NPN与NPN的,PNP与PNP的都是同型复合,而NPN与PNP的复合管是互补复合...
@裴齿4337：三极管r eb值
辛钞19593544157…… 严格的公式为:rbe=rbb'+(1+β)*26mV/Ie,过去,由于晶体管工艺不好,生产过很多锗材料的低频管,这种管子rbb'=300Ω,现在大多生产硅管了,其特征频率大大提高,rbb'一般只有几十Ω,而且特征频率越高,rbb'也越小,80Ω的有,50Ω,30Ω的都有,于是现代教材一般回避这个问题,不再要求计算rbe了,或者部分教材干脆来了一个rbe≈(1+β)*26mV/Ie.rbb'这个电阻很不好,它是三极管的基区电阻,在三极管π参数中我们会看到,它严重影响了三极管工作频率的提高,随着生产工艺水平的不断提高,rbb'会越来越小,最终被忽略不计.在微波三极管中,rbb'已经被忽略不计.
@裴齿4337：Ri=Rb//rbe是什么意思//符号是怎么算的 - 作业帮
辛钞19593544157…… [答案] 双斜杠//经常用来表示并联计算 Ri=Rb//rbe=(Rbrbe)/(Rb+rbe)
辛钞19593544157…… 就是b到b'的电阻.低频主要是通过rbb'算出基射极间电阻rb'e的.一般题目会给出公式的.
@裴齿4337：2.电路如图所示,电路中的晶体管β=60 -
辛钞19593544157…… (1)静态工作点可以求一个,就是集电极电流ICQ;也可以求三个,再加上基极电流IBQ和集--射间电压UCEQ. 本图所示电路静态工作点的求解公式: 1、 IBQ=(Vcc-UBE)/Rb 一般认为UBE是已知(硅管为0.6V,锗管为0.3V,在题中若没有说明...
@裴齿4337：放大电路计算 -
辛钞19593544157…… 1.求IB的时候当然是电阻Rb两端的压差除以电阻值啦,即(Vcc-Ube)/Rb,这个是最基本的欧姆定律吧. 2. 而对于rbe值,有一个公式,rbe=rb+(1+β)*re. rb指的是基区体电阻,(1+β)*re是re折算到基极回路的等效电阻(怎么折?看一下小信号模型分析就知道了).而re=VT/IE,其中,VT在温度为300K时,等于26mV. 补充: 基区体电阻很好理解,半导体也是一种导体,就必然有阻抗值.且对于低频小功率管子,其值大约200欧.
@裴齿4337：模拟电路求解静态工作点 -
辛钞19593544157…… Ubeq与rbb'都是常数,如果出题者没有申明,则一般取rbb'=200Ω,照硅管取Ubeq=0.7V 模拟电子技术中的常熟还有很多很多. 以下是摘自《模拟电子技术》作者元增民老师给他的学生辅导时指出的常数解决本题就需要热电压常数UT=26...
@裴齿4337：rbe的计算公式
辛钞19593544157…… rbe的计算公式:rbe=rbb'+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}],计算的是三极管的输入电阻.三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件.作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关.三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOS FET和VMOS都是绝缘型的场效应管.
@裴齿4337：模拟电路中这个符号是什么意思啊 -
辛钞19593544157…… R=R1 // R2 表示R等于R1与R2的并联; 计算方法是:1/R = 1/R1 + 1/R2 R = R1*R2 / (R1 +R2) R=R1//R2//R3 表示3个电阻的并联;可以先算出R1//R2的并联电阻R12,再算R12与R3的并联电阻.
@裴齿4337：晶体管单管共射放大电路交流参数计算英文字母含义代表...? -
辛钞19593544157…… aa这是放大线路设计公式 Rbe是三极管 B到E的内阻 rbb 是三极管基区体电阻 RL是负载 RC是集电极电阻 AV是放大倍数 Beta 是放大倍数(就是那个和B一样的) Ri输入阻抗 Rb是基极串入电阻 R0是输出阻抗 这个公式是计算放大倍数
@裴齿4337：复合管等效输入电阻怎么求? -
辛钞19593544157…… 复合管通是指双极型三级管(场效应管是单极型,通常不采用复合管方式),两只或多只管子按复合方式连接.复合方式主要分两种,同型复合和互补复合型的,NPN与NPN的,PNP与PNP的都是同型复合,而NPN与PNP的复合管是互补复合...
@裴齿4337：三极管r eb值
辛钞19593544157…… 严格的公式为:rbe=rbb'+(1+β)*26mV/Ie,过去,由于晶体管工艺不好,生产过很多锗材料的低频管,这种管子rbb'=300Ω,现在大多生产硅管了,其特征频率大大提高,rbb'一般只有几十Ω,而且特征频率越高,rbb'也越小,80Ω的有,50Ω,30Ω的都有,于是现代教材一般回避这个问题,不再要求计算rbe了,或者部分教材干脆来了一个rbe≈(1+β)*26mV/Ie.rbb'这个电阻很不好,它是三极管的基区电阻,在三极管π参数中我们会看到,它严重影响了三极管工作频率的提高,随着生产工艺水平的不断提高,rbb'会越来越小,最终被忽略不计.在微波三极管中,rbb'已经被忽略不计.
@裴齿4337：Ri=Rb//rbe是什么意思//符号是怎么算的 - 作业帮
辛钞19593544157…… [答案] 双斜杠//经常用来表示并联计算 Ri=Rb//rbe=(Rbrbe)/(Rb+rbe)
