nmos管饱和条件
@邴丹2791：nmos管导通饱和截止条件 -
郦肾13712645636…… PMOS增强型管:uG-uS|uGS(th)| , uGS|th|是开启电压; NMOS增强型管:uG-uS>0,且 |uG-uS|>|uGS(th)| ,uGS|th|是开启电压; PMOS导通是在G和S之间加G负S正电压.NMOS相反.
@邴丹2791：如何调整mos管使其工作在饱和状态 -
郦肾13712645636…… 1、MOS管的三个区:可变电阻区(对应三极管的饱和区),恒流区(对应三极管的放大区),夹断区(对应三极管的截止区),还有一个击穿区(对应三极管的击穿区,属于电力电子内容). 2、MOS管的导通是一个过程,你需要仔仔细细看一...
@邴丹2791：pmos晶体管的工作原理 -
郦肾13712645636…… PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor别名 : positive MOS金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在...
@邴丹2791：什么条件下可以将N沟道增强型Mos管近似看作一个理想开关 -
郦肾13712645636…… 最好是让MOS管处于饱和和截止状态的时候,具体的要求是. 截止:Ugs<0,关断效果更好]; 饱和:UDS
@邴丹2791：晶体三极管工作在放大区·饱和区·截止区的条件 -
郦肾13712645636…… 放大区:发射结正偏,集电结反偏.Uc>Ub>Ue(NPN). 截止区:发射结反偏,集电结反偏.Uc>Ue>Ub(NPN). 饱和区:发射结正偏,集电结正偏.Ube>Uce(NPN).
@邴丹2791：如图,只知道NPN管可以当开关使用,想问如何把PNP管,和N沟道MOS管当成开关使用,条件是什么? -
郦肾13712645636…… 截止就是关,饱和就是开,对三极管而言,要根据负载电流,一般计算时,应该按正常放大得到的电流是负载电流的两倍就算,MOS简单些对地和Vcc两头打就行,中间串一个几十K的电阻.
@邴丹2791：cmos与非门电路分析 -
郦肾13712645636…… 其实都可以推算的,这里的与非门都工作在开关状态. A\B=0\0时,T3\T4(都是PMOS)都导通,所以F就是VDD,也就是高电平. 其实从这里推论,只要A、B任意有一个是0,F都是VDD. A\B=1\1时,T3\T4都截止,这没话说. 而下面的两个,T1先导通,导通后,T2的S极接地,T2也满足了饱和导通的条件,所以也跟着导通,所以F的电位就相当于接地,所以是0V. 把这四种情况汇总起来,就是与非门的真值表. PS:数字电路的晶体管状态非常好判断,晶体管基本上都工作在开关状态.如果是放大状态的话,管子要消耗压降,再加上电流,很容易热起来.
@邴丹2791：mos管在饱和区时,其电子沟道已经被夹断了,为什么还有漏电流存在了? -
郦肾13712645636…… 一、先讲反型电子来自哪里: 1. 漏源电压为0.栅电压为正,p型衬底空穴被排斥,少子电子被吸引到表面;随着栅压增加,少子电子越来越多聚集在衬底表面,形成一层很薄的电子沟道,俗称反型.此时反型电子来自于衬底. 2. 漏源电压不为...
郦肾13712645636…… PMOS增强型管:uG-uS|uGS(th)| , uGS|th|是开启电压; NMOS增强型管:uG-uS>0,且 |uG-uS|>|uGS(th)| ,uGS|th|是开启电压; PMOS导通是在G和S之间加G负S正电压.NMOS相反.
@邴丹2791：如何调整mos管使其工作在饱和状态 -
郦肾13712645636…… 1、MOS管的三个区:可变电阻区(对应三极管的饱和区),恒流区(对应三极管的放大区),夹断区(对应三极管的截止区),还有一个击穿区(对应三极管的击穿区,属于电力电子内容). 2、MOS管的导通是一个过程,你需要仔仔细细看一...
@邴丹2791：pmos晶体管的工作原理 -
郦肾13712645636…… PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor别名 : positive MOS金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在...
@邴丹2791：什么条件下可以将N沟道增强型Mos管近似看作一个理想开关 -
郦肾13712645636…… 最好是让MOS管处于饱和和截止状态的时候,具体的要求是. 截止:Ugs<0,关断效果更好]; 饱和:UDS
@邴丹2791：晶体三极管工作在放大区·饱和区·截止区的条件 -
郦肾13712645636…… 放大区:发射结正偏,集电结反偏.Uc>Ub>Ue(NPN). 截止区:发射结反偏,集电结反偏.Uc>Ue>Ub(NPN). 饱和区:发射结正偏,集电结正偏.Ube>Uce(NPN).
@邴丹2791：如图,只知道NPN管可以当开关使用,想问如何把PNP管,和N沟道MOS管当成开关使用,条件是什么? -
郦肾13712645636…… 截止就是关,饱和就是开,对三极管而言,要根据负载电流,一般计算时,应该按正常放大得到的电流是负载电流的两倍就算,MOS简单些对地和Vcc两头打就行,中间串一个几十K的电阻.
@邴丹2791：cmos与非门电路分析 -
郦肾13712645636…… 其实都可以推算的,这里的与非门都工作在开关状态. A\B=0\0时,T3\T4(都是PMOS)都导通,所以F就是VDD,也就是高电平. 其实从这里推论,只要A、B任意有一个是0,F都是VDD. A\B=1\1时,T3\T4都截止,这没话说. 而下面的两个,T1先导通,导通后,T2的S极接地,T2也满足了饱和导通的条件,所以也跟着导通,所以F的电位就相当于接地,所以是0V. 把这四种情况汇总起来,就是与非门的真值表. PS:数字电路的晶体管状态非常好判断,晶体管基本上都工作在开关状态.如果是放大状态的话,管子要消耗压降,再加上电流,很容易热起来.
@邴丹2791：mos管在饱和区时,其电子沟道已经被夹断了,为什么还有漏电流存在了? -
郦肾13712645636…… 一、先讲反型电子来自哪里: 1. 漏源电压为0.栅电压为正,p型衬底空穴被排斥,少子电子被吸引到表面;随着栅压增加,少子电子越来越多聚集在衬底表面,形成一层很薄的电子沟道,俗称反型.此时反型电子来自于衬底. 2. 漏源电压不为...
