rbe等于多少
@宗冰2428：rbe的计算公式
叶戴18316991293…… rbe的计算公式:rbe=rbb'+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}],计算的是三极管的输入电阻.三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件.作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关.三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOS FET和VMOS都是绝缘型的场效应管.
@宗冰2428：复合三极管的rbe怎么求? -
叶戴18316991293…… 还记得发射极有电阻的计算公式吗,把公式里的那个 Re 换成为 rbe2 就是了
@宗冰2428：三极管rbe值 -
叶戴18316991293…… 它对交流而言就是一个动态电阻, 第一有经验公式,不过那是估计值; 第二是为△U be÷△Ibe 也是动态的 看晶体管的特性曲线,假如在小信号的情况下,它是一场数, 在大信号的情况下,由于晶体管的内部电子变化,只能取估值,就看你要做什么,用什么方法取到精度多大的值.
@宗冰2428：三极管输入电阻rbe=300+(1+β)*26mv/ICQ -
叶戴18316991293…… rbe=300+(1+β)*26mv/ICQ这个公式来源于rbe=rbb'+(1+β)rb'e而rb'e是发射结的等效交流电阻rb'e=△u/△i=du/di=1/(di/du)di/du由二极管正向导通电流对电压求导数得到这个26mv可以认为是发射结上的交流电压降
@宗冰2428：电子电路中等效电路中rbe(be是下标)怎么求 -
叶戴18316991293…… 电子电路中等效电路中rbe(be是下标)怎么求一般公式:rbe=300+(1+β)26/Ie,Ie----发射极静态电流.
@宗冰2428：已知某小功率管IB=20μA,估算其输入电阻rbe= - -------. -
叶戴18316991293…… 假设晶体管是硅管.硅管的PN结压降为0.5伏. rbe=0.5/0.00002=25000欧=2.5K
@宗冰2428：在分压式偏置放大电路中如何计算三极管输入电阻Rbe?有没有具体公式 -
叶戴18316991293…… Rbe=300+(1+β)26/Ie 其中26是个常数,单位是Mv,Ie是发射极电流,单位是Ma,电阻单位计算出来是欧.
@宗冰2428：三极管输入电阻rbe=300+(1+β)*26mv/ICQ -
叶戴18316991293…… 书上说这是一个近似的半导体的体电阻值,一般是查表得到的,没有特殊说明时就认为是300
@宗冰2428：三极管中等效电路Rbe=r'bb+(1+β)*26/Icq和Rbe=r'bb+β*26/Icq这加一和不加一有什么区别?高分求解 -
叶戴18316991293…… Rbe=rbb'+rb'e=rbb'+(1+β)re=rbb'+(1+β)Ve/Ieq=rbb'+(1+β)Ve/(1+β)Ibq =rbb'+Ve/Ibq=rbb'+βVe/βIbq=rbb'+βVe/Icq(标准条件下,Ve约为26mV) 又由于通常β>>1,所以1+β和β基本没多大的区别,可以近似代替.
@宗冰2428：三极管模型中等效电阻rbe是何种电阻??? -
叶戴18316991293…… 电阻和电流源是简化的三极管的模型电路,共射时,等效电路时三极管就可以用电阻和电流源表示,电阻是射级和基极的结电阻,电流源是因为基极上通过的小电流ib在集电极输出时会被放大成βib,其它照画.至于小信号模型,可以这样理解,三极管电路中,直流会走一个电路,交流小信号也会走一个电路,因为电路中一些扼流电感(大电感)和隔离电容(大电容),在直流电路中大电感相当于短路,大电容相当于开路,而在交流信号电路中则相反,所以会造成直流模型电路与交流小信号模型的不同,这是为了使它们直流交流不相互干扰,另外直流电路提供工作点和能量,这些能量可以使小信号得以放大输出.
叶戴18316991293…… rbe的计算公式:rbe=rbb'+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}],计算的是三极管的输入电阻.三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件.作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关.三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOS FET和VMOS都是绝缘型的场效应管.
@宗冰2428：复合三极管的rbe怎么求? -
叶戴18316991293…… 还记得发射极有电阻的计算公式吗,把公式里的那个 Re 换成为 rbe2 就是了
@宗冰2428：三极管rbe值 -
叶戴18316991293…… 它对交流而言就是一个动态电阻, 第一有经验公式,不过那是估计值; 第二是为△U be÷△Ibe 也是动态的 看晶体管的特性曲线,假如在小信号的情况下,它是一场数, 在大信号的情况下,由于晶体管的内部电子变化,只能取估值,就看你要做什么,用什么方法取到精度多大的值.
@宗冰2428：三极管输入电阻rbe=300+(1+β)*26mv/ICQ -
叶戴18316991293…… rbe=300+(1+β)*26mv/ICQ这个公式来源于rbe=rbb'+(1+β)rb'e而rb'e是发射结的等效交流电阻rb'e=△u/△i=du/di=1/(di/du)di/du由二极管正向导通电流对电压求导数得到这个26mv可以认为是发射结上的交流电压降
@宗冰2428：电子电路中等效电路中rbe(be是下标)怎么求 -
叶戴18316991293…… 电子电路中等效电路中rbe(be是下标)怎么求一般公式:rbe=300+(1+β)26/Ie,Ie----发射极静态电流.
@宗冰2428：已知某小功率管IB=20μA,估算其输入电阻rbe= - -------. -
叶戴18316991293…… 假设晶体管是硅管.硅管的PN结压降为0.5伏. rbe=0.5/0.00002=25000欧=2.5K
@宗冰2428：在分压式偏置放大电路中如何计算三极管输入电阻Rbe?有没有具体公式 -
叶戴18316991293…… Rbe=300+(1+β)26/Ie 其中26是个常数,单位是Mv,Ie是发射极电流,单位是Ma,电阻单位计算出来是欧.
@宗冰2428：三极管输入电阻rbe=300+(1+β)*26mv/ICQ -
叶戴18316991293…… 书上说这是一个近似的半导体的体电阻值,一般是查表得到的,没有特殊说明时就认为是300
@宗冰2428：三极管中等效电路Rbe=r'bb+(1+β)*26/Icq和Rbe=r'bb+β*26/Icq这加一和不加一有什么区别?高分求解 -
叶戴18316991293…… Rbe=rbb'+rb'e=rbb'+(1+β)re=rbb'+(1+β)Ve/Ieq=rbb'+(1+β)Ve/(1+β)Ibq =rbb'+Ve/Ibq=rbb'+βVe/βIbq=rbb'+βVe/Icq(标准条件下,Ve约为26mV) 又由于通常β>>1,所以1+β和β基本没多大的区别,可以近似代替.
@宗冰2428：三极管模型中等效电阻rbe是何种电阻??? -
叶戴18316991293…… 电阻和电流源是简化的三极管的模型电路,共射时,等效电路时三极管就可以用电阻和电流源表示,电阻是射级和基极的结电阻,电流源是因为基极上通过的小电流ib在集电极输出时会被放大成βib,其它照画.至于小信号模型,可以这样理解,三极管电路中,直流会走一个电路,交流小信号也会走一个电路,因为电路中一些扼流电感(大电感)和隔离电容(大电容),在直流电路中大电感相当于短路,大电容相当于开路,而在交流信号电路中则相反,所以会造成直流模型电路与交流小信号模型的不同,这是为了使它们直流交流不相互干扰,另外直流电路提供工作点和能量,这些能量可以使小信号得以放大输出.
