nmos什么电平导通
@巫严3841：怎么看MOS管是高电平导通还是低电平导通 在电路图纸中怎么看一直不明白 -
白知15381339467…… 可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通.如果箭头指向栅极,那么MOS管就是高电平导通.如果箭头未指向栅极,那么MOS管就是低电平导通. P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管...
@巫严3841：场效应管测量 -
白知15381339467…… 如果不用电路只用万用表测量的话,先用电阻档测,G和S之间,G和D之间的正反向电阻都是无穷大,有短路说明击穿.D和S之间分NMOS和PMOS两种情况,使用二极管档,测量之前先把G和S相连,对于NMOS,红笔接D,黑笔接S,应显示...
@巫严3841：求PMOS和NMOS在POWER management的区别 -
白知15381339467…… 你好,关于PMOS和NMOS在POWER management的区别 1. NMOS是栅极高电平导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通 2. PMOS是栅极低电平导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通 缺点是价格贵、导通电阻大、发热大、效率低,优点是容易驱动,只要把栅极电压拉下来就可以了 希望对你有帮助
@巫严3841：如果一个3V的电压接在MOS管的控制级(G),并且MOS管接地,那么他的发射级是高电平还是低电平
白知15381339467…… 这个要分N MOS管还是PMOS管的,而且和D级(N管)或者S级(P管)的电源有关,例如 N管D接,接上拉电阻到+12V,这时候如果NMOS管的开启电压<3V,则NMOS管导通,把电位拉低. 如果是P管,S级接电源,只要G极电压低于S级电压,就形成导电沟道.从而使PMOS管形成一个可变的R,SG电压差越大,R越小,当R足够小时, 电平就为低电平
@巫严3841：求救nmos电容和pmos电容的区别 -
白知15381339467…… NMOS的电流Id必须从D流到S,而PMOS的电流必须从s流到d 一般RDS(ON)非常小,在导通时D与S电压几乎一样;“G端电压比D端高出一个启动电压”实际上就是G端电压比D端高出一个启动电压,这是N沟道MOS管导通的必要条件....
@巫严3841：无论输入是高电平还是低电平,cmos反向器中总有一个mos管 -
白知15381339467…… CMOS反相器输出为低电平时,其等效结构中是NMOS导通,当输出高电平时,其等效结构中是PMOS导通.
@巫严3841：下列关于MOS管的说法中,正确的有: - 上学吧普法考试
白知15381339467…… 不是都是高电平,那个圆圈符号你理解错了,那是个逻辑功能标识,不代表里面真的有反相器.CMOS传输门的NMOS和PMOS栅极电压总是相反的,因此不管输入电压是多少都能导通. TG上面那个圆圈代表输入是反向有效.
@巫严3841：下面图片中的MOS管在什么情况下导通. -
白知15381339467…… 在PQB03收到ACDRV这个信号之前是出于截止状态,因VIN加到了PQB03的漏极所以P1此时并没有电压.见图:当芯片发出ACDRV这个信号后PQB03和PQB04两个NMOS开启,此时有了P1和P2,P1为适配器电压19V经PRB11和PRB12分压(PRB12*19/(PRB11+PRB12)),分压后的电压是4.75V.见下图.那么根据NMOS管的导通条件栅极电压必须高于源极4.5V以上才可以导通,现在源极是19V而栅极是4.75V,这个管子怎么可以导通.见下图.即便此管可以正常导通,但是ACDRV得信号电压是25V加到此管的漏极,这个MOS管还是不能够导通.见下图:
@巫严3841：pmos管是高电平导通还是低电平导通啊 -
白知15381339467…… 低电平导通
白知15381339467…… 可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通.如果箭头指向栅极,那么MOS管就是高电平导通.如果箭头未指向栅极,那么MOS管就是低电平导通. P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管...
@巫严3841：场效应管测量 -
白知15381339467…… 如果不用电路只用万用表测量的话,先用电阻档测,G和S之间,G和D之间的正反向电阻都是无穷大,有短路说明击穿.D和S之间分NMOS和PMOS两种情况,使用二极管档,测量之前先把G和S相连,对于NMOS,红笔接D,黑笔接S,应显示...
@巫严3841：求PMOS和NMOS在POWER management的区别 -
白知15381339467…… 你好,关于PMOS和NMOS在POWER management的区别 1. NMOS是栅极高电平导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通 2. PMOS是栅极低电平导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通 缺点是价格贵、导通电阻大、发热大、效率低,优点是容易驱动,只要把栅极电压拉下来就可以了 希望对你有帮助
@巫严3841：如果一个3V的电压接在MOS管的控制级(G),并且MOS管接地,那么他的发射级是高电平还是低电平
白知15381339467…… 这个要分N MOS管还是PMOS管的,而且和D级(N管)或者S级(P管)的电源有关,例如 N管D接,接上拉电阻到+12V,这时候如果NMOS管的开启电压<3V,则NMOS管导通,把电位拉低. 如果是P管,S级接电源,只要G极电压低于S级电压,就形成导电沟道.从而使PMOS管形成一个可变的R,SG电压差越大,R越小,当R足够小时, 电平就为低电平
@巫严3841：求救nmos电容和pmos电容的区别 -
白知15381339467…… NMOS的电流Id必须从D流到S,而PMOS的电流必须从s流到d 一般RDS(ON)非常小,在导通时D与S电压几乎一样;“G端电压比D端高出一个启动电压”实际上就是G端电压比D端高出一个启动电压,这是N沟道MOS管导通的必要条件....
@巫严3841：无论输入是高电平还是低电平,cmos反向器中总有一个mos管 -
白知15381339467…… CMOS反相器输出为低电平时,其等效结构中是NMOS导通,当输出高电平时,其等效结构中是PMOS导通.
@巫严3841：下列关于MOS管的说法中,正确的有: - 上学吧普法考试
白知15381339467…… 不是都是高电平,那个圆圈符号你理解错了,那是个逻辑功能标识,不代表里面真的有反相器.CMOS传输门的NMOS和PMOS栅极电压总是相反的,因此不管输入电压是多少都能导通. TG上面那个圆圈代表输入是反向有效.
@巫严3841：下面图片中的MOS管在什么情况下导通. -
白知15381339467…… 在PQB03收到ACDRV这个信号之前是出于截止状态,因VIN加到了PQB03的漏极所以P1此时并没有电压.见图:当芯片发出ACDRV这个信号后PQB03和PQB04两个NMOS开启,此时有了P1和P2,P1为适配器电压19V经PRB11和PRB12分压(PRB12*19/(PRB11+PRB12)),分压后的电压是4.75V.见下图.那么根据NMOS管的导通条件栅极电压必须高于源极4.5V以上才可以导通,现在源极是19V而栅极是4.75V,这个管子怎么可以导通.见下图.即便此管可以正常导通,但是ACDRV得信号电压是25V加到此管的漏极,这个MOS管还是不能够导通.见下图:
@巫严3841：pmos管是高电平导通还是低电平导通啊 -
白知15381339467…… 低电平导通
